国产化加速！长鑫存储开始量产18.5nm制程DRAM

长鑫存储在合肥的国产新工厂目前已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片。

长鑫存储（CXMT）已经在去年底正式发布了其首批LPDDR5系列内存产品，化加其中包括了12Gb的速长始量LPDDR5颗粒，POP封装的鑫存12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，成为了国内首家可以自主研发并生产LPDDR5内存的储开产n程国产芯片厂商。而在当下面临重重封锁的国产情况下，长鑫存储不但持续研发新品，化加在自主产能上也有着新的速长始量突破。

据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的储开产n程新工厂目前已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满负荷运转，国产初始的化加月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升，速长始量到2024年底，鑫存每月产能还会增加4万片晶圆。储开产n程这意味着，长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。此外，长鑫存储计划为新的扩产大幅增加国内采购。

相比之下，主攻NAND闪存芯片的长江存储（YMTC）在产能提升方面受到全面的限制，本土化供应链具有较大的挑战性。不过长江存储在技术研发上依然取得进步，比如高层数的NAND闪存，同时还推出了新款120层产品，绕过了128层的限制，开辟了一条可行的道路。产能扩张依然是长江存储最大的障碍，可能还会持续一段时间。