JEDEC发布GDDR7显存标准 带宽翻倍高达192GB/s

JEDEC固态存储协会正式发布GDDR7显存的布G倍高标准，可提供两倍于GDDR6的存标带宽，达到了192 GB/s，准带用以满足未来图形、宽翻游戏、布G倍高计算、存标网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的准带需求。

近日，宽翻JEDEC固态存储协会正式发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，布G倍高即GDDR7显存的存标标准，可提供两倍于GDDR6的准带带宽，达到了192 GB/s，宽翻用以满足未来图形、布G倍高游戏、存标计算、准带网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。

JES239 GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM。其PAM3接口增加了在高频时的信噪比(SNR)，同时提升了能效，通过使用3个电平(+ 1,0,-1)在2个周期内传输3个bit，相比传统的NRZ(不归零)接口要更强。在PAM3的加持下，可提供了更高的每个周期的数据传输速率，显著提高显存的性能。

此外，JES239 GDDR7还拥有以下高级功能特性：

·具备支持眼图掩蔽和误差计数器的核心独立LFSR(线性反馈移位寄存器)训练模式，可提高训练准确性，同时减少训练时间。

·独立通道数量翻倍，从GDDR6的2个增加至4个。

·支持16 Gbit至32 Gbit的存储容量以及双通道模式，可使系统容量翻倍。

·通过整合最新的数据完整性功能来满足市场对RAS(可靠性，可用性，可服务性)的需求，包括带实时报告的芯片上ECC (ODECC)、数据中毒、错误检查和清理以及带命令阻塞的命令地址奇偶校验(CAPARBLK)。

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示：“JESD239 GDDR7标志着高速存储器设计的重大进步。随着向PAM3信号的转变，存储器行业有了一条扩展GDDR设备性能的新途径，有效推动图形和各种高性能应用的持续发展。”

包括美光、三星、海力士在内的多家存储厂商都对JEDEC发布的JES239 GDDR7标准表示支持，并积极推动GDDR7显存的发展计划。此前这三家厂商都已官宣正在准备全新的GDDR7显存，其中三星首款16Gb GDDR7芯片在位宽为384位的情况下，提供了高达1.536 TB/s的带宽，远远超过了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。而SK海力士展示的GDDR7显存芯片，速度为35.4Gbps，稍慢于三星公布的速度。美光则尚未公布相关细节。