三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

此前三星公布了到2027年的星目显著效率制程技术路线图，列出了2022年6月量产SF3E（3nm GAA，标年3GAE）以后的量产半导体工艺发展计划，包括SF3（3GAP）、工艺SF3P（3GAP+）、期待SF4P、提升SF4X、星目显著效率SF2、标年SF3P、量产SF2P和SF1.4等。工艺三星计划今年带来第二代3nm工艺，期待也就是提升SF3，传闻已经在试产。星目显著效率不过此前也有消息人士称，标年三星打算将第二代3nm工艺将改为2nm工艺。量产

据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。

三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。

三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。

与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。