传英特尔下一代GPU将采用台积电4纳米工艺

近期有关下一代Battlemage独立显卡的传英采用消息越来越多，此前英特尔已在官网列出了BMG-G31芯片的特尔台积设计工具。同时Battlemage测试样品的下代发货清单也被发现，传闻新显卡正在做主动散热模块的电纳测试。

据DigiTimes报道，米工英特尔已经为Battlemage选定了制造工艺，传英采用将采用（TSMC）的特尔台积4nm制程，相比Alchemist的下代6nm，无论晶体管密度、电纳性能还是米工能效上都有显著提高，也让新一代GPU可以配备更多的传英采用Xe核心，结合更高的特尔台积IPC、频率和其他特性，下代从而提供更强的电纳性能。

除了用于独立显卡的米工Xe2-HPG架构，Battlemage还有用于集显的Xe2-LPG架构，以简化驱动程序的开发，降低成本并提高兼容性，其中Lunar Lake的核显将首先采用Xe2-LPG架构。有趣的是，这些酷睿Ultra 200V系列处理器的GPU模块采用了更为先进的台积电3nm制程，优于独立显卡。

据了解，BMG-G31应该是Battlemage里最大的芯片，预计会有32个Xe核心，BMG-G21降至20个Xe核心，原计划里配备28个Xe核心的BMG-G10被取消，不过英特尔至今都没有提及这些GPU芯片的规模和性能。不过此前曝光的发货清单上出现了BMG-G10的身影，对应448个EU，采用了8层PCB，显存位宽为256-bit，搭配的是16GB的GDDR6(X)显存，这也让Battlemage产品线如何配置成了一个谜。

最新消息称，Battlemage的发布时间可能从2024年末延后至2025年初。