领先半年时间 英特尔率先组装ASML新一代光刻机

当地时间周四，领先美国芯片巨头英特尔宣布，半年已开始组装阿斯麦（ASML）的时间高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机，这是英特其超越竞争对手的重要一步。

英特尔是尔率首家购买阿斯麦新一代光刻机的公司，这台机器的先组L新售价高达3.5亿欧元（约合3.73亿美元）。尽管存在一定的代光财务和工程风险，但该设备预计将能够生产体积更小、刻机处理速度更快的领先新一代芯片。

在与记者的半年交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的时间坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，英特我们根本不会采购。尔率”

阿斯麦是先组L新欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。代光光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。

光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度——晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。

新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。

英特尔的错误

英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。

英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。

与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。

菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”

尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。

英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。

他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”

菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。

英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。

阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。

由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。